[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202110274782.8 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN112864167B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李兆松;肖莉红;刘沙沙;卢峰;王恩博;邵明;王浩;杨号号;张勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/50 | 分类号： | H10B43/50;H10B43/40;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种3D NAND存储器及其形成方法。所述3D NAND存储器的所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有第一沟道孔，所述第一沟道孔底部的半导体衬底中具有凹槽；在所述凹槽中形成半导体外延层；在所述半导体外延层表面形成金属硅化物层；在所述第一沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；刻蚀所述第一沟道孔底部上的电荷存储层以及部分金属硅化物层，形成暴露出半导体外延层表面的开口；在所述开口中形成第二沟道层，所述第二沟道层与所述半导体外延层相接触。本发明保证第一沟道孔的特征尺寸保持不变或变化很小，从而保证工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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