[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202110273868.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN115083913A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成鳍体；步骤二、形成第一栅极结构；步骤三、形成源区和漏区，包括：步骤31、形成第二硬质掩膜层；步骤32、打开鳍式场效应晶体管的形成区域，对第二硬质掩膜层进行第一次全面刻蚀将鳍体的顶部表面暴露，隔离介质层的表面同时暴露；步骤33、进行第二次刻蚀在鳍体中形成第一凹槽；第二次刻蚀同时对表面暴露的隔离介质层产生纵向和横向刻蚀从而形成第二凹槽，使鳍体和第一多晶硅栅产生表面暴露并形成桥接路径；步骤34、形成牺牲侧墙将桥接路径全部填充；步骤35、在第一凹槽中填充外延层形成嵌入式外延层。本发明能防止源漏外延与栅极桥接，从而能保持器件性能不退化。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110273868.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种谐振式开关电容电压转换器的控制电路
- 下一篇：一种全差分的电平移位器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
