[发明专利]三维存储器、电路芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110269478.4 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN112786600B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;刘威;王言虹 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器、电路芯片及其制备方法。电路芯片的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成多个间隔设置的浅沟槽隔离结构，相邻的所述浅沟槽隔离结构之间为有源区域；在所述浅沟槽隔离结构内形成辅助栅极，以及在所述有源区域内形成MOS器件，其中，所述MOS器件包括栅极结构与位于所述栅极结构两侧的源极和漏极，所述辅助栅极位于相邻的所述MOS器件中的一个所述MOS器件的源极与另一个所述MOS器件的漏极之间。本发明的电路芯片的尺寸较小。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 电路 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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