[发明专利]GaN器件及制备方法有效
| 申请号： | 202110269231.2 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113035935B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 马飞;邹鹏辉;王文博;邱士起;周康 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种GaN器件及制备方法，通过AlGaN势垒层自金属栅极向金属漏极方向厚度渐变的结构，来逐渐改变GaN沟道内自金属栅极向金属漏极的二维电子气浓度，从而缓解GaN器件的电场峰值，提高GaN器件的耐压性能；进一步的，位于第一凹槽倾斜侧壁的金属漏极可同时作为漏端的场板，以调节电场强度，提高耐压；进一步的，当金属漏极填充第一凹槽及第二凹槽时，可制作双栅GaN器件，且金属漏极一方面可作为场板以调节电场，同时还可作为金属散热柱，以提高GaN器件的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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