[发明专利]一种渗滤复合薄膜、制备方法及其光电应用在审
申请号: | 202110263158.8 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113078263A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 杨化桂;葛兵;杨双;侯宇 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾兰芳 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种渗滤复合薄膜、制备方法及其光电应用。是由一种无机半导体和一种绝缘体纳米颗粒组成的互穿网络结构;其中,所述的半导体材料,是金属氧化物、金属硫化物、金属磷化物或金属氮化物;所述绝缘体材料,是碳酸盐。本发明利用溶液法制备低成本、无机半导体‑绝缘体组成的两相渗滤网络结构,并用作钙钛矿太阳能光电器件的空穴传输层材料。稳定的双相渗滤结构具有优异的导电性和匹配的能带,优化了空穴的提取和传输路径,从而有效的提升钙钛矿光电器件的能量转化效率及长期运作稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 渗滤 复合 薄膜 制备 方法 及其 光电 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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