[发明专利]竖直型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备有效
| 申请号： | 202110252928.9 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113035878B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B43/30;H10B51/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种竖直型存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，该存储器件可以包括：相对于衬底处于第一高度的第一源/漏层以及处于不同于第一高度的第二高度的第二源/漏层；连接第一源/漏层和第二源/漏层的沟道层；以及包括存储功能层的栅堆叠。存储功能层在沟道层的侧壁上延伸，并从沟道层的侧壁在面内延伸到第一源/漏层的侧壁和第二源/漏层的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 存储 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
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