[发明专利]基质-PQD闪烁体膜及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110251123.2 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN112851985A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王储劼;郑策 | 申请（专利权）人： | 无锡极电光能科技有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L67/00;C08L83/04;C08L75/04;C08L63/00;C08K3/16;G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基质‑PQD闪烁体膜及其制备方法与应用，其中，该方法包括：首先将基质材料前驱液与含有PQD的物料混合，以便得到基质‑PQD前驱液；再将基质‑PQD前驱液注入模具中，然后脱泡后再进行固化，以便得到基质‑PQD闪烁体膜。采用该方法来制备基质‑PQD闪烁体膜，可以提高其水氧阻隔性能，限制PQD的自吸收效应，避免传统溶液法在制备PQD厚膜时出现的膜层不均匀、局部富集或开裂等问题，有利于闪烁体可见光的透出以及可见光探测器对可见光的采集，同时制备得到的基质‑PQD闪烁体膜具有良好的机械性能和柔性，且易于后期进行去除更换。 | ||
| 搜索关键词： | 基质 pqd 闪烁 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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