[发明专利]基质-PQD闪烁体膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种制备基质-PQD闪烁体膜的方法，其特征在于，包括：

(1)将基质材料前驱液与含有PQD的物料混合，以便得到基质-PQD前驱液；

(2)将所述基质-PQD前驱液注入模具中，然后脱泡后再进行固化，以便得到基质-PQD闪烁体膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述基质材料前驱液与PQD按照基质材料与PQD的质量比为(1～10)：1进行混合。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述含有PQD的物料为PQD分散液或PQD粉末。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述基质材料包括硅酮聚合物、氧化硅、缩水甘油醚类环氧树脂、缩水甘油酯类环氧树脂、缩水甘油胺类环氧树脂、线性脂肪族类环氧树脂、脂环族类环氧树脂、异氰酸酯、含有硅酮和硅氧烷的双组分有机硅、含有氧化硅和助剂的双组份无机硅、含有环氧固化剂和环氧粘合剂的双组分环氧树脂以及含有聚异氰酸酯和聚醚醇的双组分聚氨酯中的至少之一。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述PQD的化学式为ABX₃，其中，A为铯、甲胺或甲脒，B为铅或锡，X为氯、溴或碘。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，将所述基质材料前驱液与所述PQD分散液混合，在所述混合过程去除所述PQD分散液的溶剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述PQD为表面配体修饰的PQD或核壳结构方法改性的PQD或有机高聚物包覆的PQD、金属有机物框架包覆的PQD、金属氧化物包覆的PQD、微孔材料包覆的PQD。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，将所述基质材料前驱液与所述含有PQD的物料和助剂混合，其中，助剂包括增塑剂、流平剂、抗老化剂、抗氧化剂和交联剂中的至少之一。

9.一种基质-PQD闪烁体膜，其特征在于，所述基质-PQD闪烁体膜采用权利要求1-8中任一项所述的方法制备得到；

任选地，所述基质-PQD闪烁体膜的厚度为0.1mm～5mm。

10.一种高能光子探测器件，其特征在于，包括TFT阵列、光探测器和闪烁体膜层，所述闪烁体膜层设在所述光探测器表面，

其中，所述闪烁体膜层为采用权利要求1-8中任一项所述的方法得到的基质-PQD闪烁体膜或权利要求9所述的基质-PQD闪烁体膜。