[发明专利]单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的方法以及系统在审
| 申请号： | 202110250974.5 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113192856A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李逸哲;黄怀莹;李宜蒨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例针对一种单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的方法。在该方法的一些实施例中，捕获晶圆上的多个单元的灰度图像。灰度图像提供单元的俯视图，并且在一些实施例中，在蚀刻之后被原位捕获以形成单元。在灰度图像中识别单元，以确定对应于单元的非感兴趣区(non‑ROI)像素。从灰度图像减去非ROI像素，以确定ROI像素。ROI像素是减去之后的剩余像素，并且对应于单元的侧壁上和单元之间的凹槽中的材料。然后基于ROI像素的灰度级而对侧壁上和凹槽中的蚀刻再沉积物的量进行评分。此外，基于得分而处理晶圆。本发明的实施例还涉及单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 蚀刻 沉积物 破坏性 检查 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
