[发明专利]一种离子束辅助磁控溅射沉积低温制备氧化铪基铁电薄膜的方法在审
| 申请号： | 202110248284.6 | 申请日： | 2021-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN113025959A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 梁海龙;张博;郭新涛;秦浩楠 | 申请（专利权）人： | 中国航空制造技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/22;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100024 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种离子束辅助磁控溅射沉积低温制备氧化铪基铁电薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗基片；(2)将基片吹干，送入溅射室内；(3)用真空泵将溅射室抽至高真空，然后通入高纯氩气对氧化铪靶材和拟掺杂元素的氧化物靶材进行预溅射；(4)开启离子束辅助源和射频磁控溅射系统，在基片不加热的条件下，对基片表面进行一定时间的辅助溅射沉积，进而得到氧化铪基铁电薄膜；(5)关闭离子束辅助源和射频磁控溅射系统，开启上电极靶材的溅射电源，在氧化铪基铁电薄膜的表面制备上电极，进而形成半导体/金属‑HfO |
||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 辅助 磁控溅射 沉积 低温 制备 氧化 铪基铁电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航空制造技术研究院，未经中国航空制造技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110248284.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
