[发明专利]一种具有双多晶的热电偶结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种具有双多晶的热电偶结构及其制作方法，包括叠层双多晶和并列双多晶的热电偶结构，叠层双多晶热电偶结构中第一硅片的上表面制作有第一N型多晶硅条，之后淀积SiO2后制作与第一N型多晶硅条在垂直方向上形成叠层的第一P型多晶硅条，最后淀积铝使两种多晶硅条形成金属接触；并列双多晶热电偶结构中第二硅片的上表面制作有第二N型多晶硅条和第二P型多晶硅条，之后直接淀积铝使这两种多晶硅条也形成金属接触；最后按照设计版图要求，按照该结构一步步制作即可得到对应的热电偶结构，通过这样的热电偶结构得到的半导体热电堆红外测温芯片提高了测温芯片的性能，降低了测温芯片的成本。