[发明专利]基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法在审
| 申请号： | 202110228339.7 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113380662A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 饭野正 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法。基片处理装置包括：基片保持部；喷嘴部；对喷嘴部供给处理液的导电性配管；将导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在基片保持部的周围的液接收部，其接收从喷嘴部释放的液体；和用于测量导电性配管的导电性的劣化程度的劣化程度测量部，劣化程度测量部包括：对导电性配管供给测量用液体，从喷嘴部释放测量用液体的测量用液体供给部；对液接收部的接液面与基准电位之间施加电位差的电位差施加部；电流计，其在将测量用液体从喷嘴部释放到液接收部时，测量流过在液接收部的接液面与接地线之间经由测量用液体建立的电荷移动路径的电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 导电性 配管劣化 程度 判断 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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