[发明专利]改进的用于RF应用的转印在审
| 申请号： | 202110222643.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113327977A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杰罗姆·洛林;伊曼·拉比卜;弗雷德里克·德里列;布莱斯·格朗尚;卢卡斯·伊奥纳-普拉特;格雷戈里·乌伦 | 申请（专利权）人： | X-FAB法国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/00;H01L21/335;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 法国科尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于RF应用的半导体结构，包括：目标衬底；在所述目标衬底上微转印(μTP)的氮化镓(GaN)小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虚设金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 用于 rf 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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