[发明专利]改进的用于RF应用的转印在审
| 申请号： | 202110222643.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113327977A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杰罗姆·洛林;伊曼·拉比卜;弗雷德里克·德里列;布莱斯·格朗尚;卢卡斯·伊奥纳-普拉特;格雷戈里·乌伦 | 申请（专利权）人： | X-FAB法国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/00;H01L21/335;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 法国科尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改进 用于 rf 应用 | ||
1.一种用于RF应用的半导体结构，包括：
目标衬底；
在所述目标衬底上微转印(μTP)的氮化镓(GaN)小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虚设金属层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述目标衬底是绝缘体上硅(SOI)晶片或管芯。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述μTP GaN小芯片包括缓冲层和在所述缓冲层上的GaN层，并且其中，所述缓冲层和所述GaN层的组合厚度小于3μm。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述GaN层具有1.8μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层具有0.3μm至4μm范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层具有1.25μm的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层基本上对称地布置在所述μTP GaN小芯片上。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述GaN器件包括器件金属层，所述器件金属层包括用于连接至所述GaN器件的金属触点，并且其中，所述虚设金属层不接触所述器件金属层。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层和所述器件金属层之间的间隙具有至少10μm的宽度。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层和所述器件金属层被布置为使得金属基本上均匀地分布在所述μTP GaN小芯片上。
11.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层和所述器件金属层一起覆盖所述μTP GaN小芯片的总表面积的20％至90％。
12.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括覆盖所述μTP GaN小芯片的封装层。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述封装层具有0.5μm至3μm范围内的厚度。
14.一种形成用于RF应用的半导体结构的方法，所述方法包括：
提供包括GaN器件和虚设金属层的氮化镓(GaN)小芯片；以及
将所述GaN小芯片微转印到目标衬底上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，提供步骤包括：沉积金属层，并图案化所述金属层，以形成所述虚设金属层，并形成包括用于连接至所述GaN器件的金属触点的器件金属层。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，微转印步骤包括：在所述GaN小芯片从同质衬底释放之前，沉积覆盖所述GaN小芯片的封装层。
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