[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 202110218317.2 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113036013A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 滕龙;霍丽艳;吴洪浩;周瑜;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种深紫外LED外延结构及其生长方法，本发明提供的技术方案所制作的N型层可以为超晶格层，每个重复单元层包括有依次生长的InSiN层和N型Al |
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| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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