[发明专利]NOR FLASH的形成方法有效
| 申请号： | 202110209862.5 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013169B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 田志;梁启超;邵华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/40;H10B41/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NOR FLASH的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的闪存区和逻辑区；在所述衬底的表面依次形成闪存氧化层、浮栅层和氮化层，所述闪存氧化层、浮栅层和氮化层均形成在所述闪存区和逻辑区上；依次刻蚀所述氮化层、浮栅层和闪存氧化层，以形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的填充物为氧化物；去除所述闪存区的所述氮化层，并对所述闪存区和逻辑区的所述浮栅层进行离子注入和退火，部分所述离子通过所述浅沟槽隔离结构的侧壁进入所述浮栅层；在所述闪存区的所述浮栅层上形成层间介质层；去除逻辑区的所述层间介质层和浮栅层，以形成闪存区的栅极结构。本发明可以在闪存单元的面积缩小的同时，仍然可以使得擦除均匀。 | ||
| 搜索关键词： | nor flash 形成 方法 | ||
【主权项】：
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