[发明专利]一种SRAM存储单元、存储器及SRAM存储单元的读写方法有效
| 申请号： | 202110209386.7 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112992224B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;杨灿;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种SRAM存储单元、存储器及SRAM存储单元的读写方法，涉及电路设计技术领域，用于提高SRAM存储单元的数据安全性。所述SRAM存储单元包括：信号生成电路、锁存电路及两个读写电路。信号生成电路分别与锁存电路和两个读写电路电连接；锁存电路具有两个存储节点。两个读写电路用于在字线信号的控制下，在写入操作时向不同的两个存储节点写入数据。信号生成电路用于根据字线信号，控制锁存电路翻转两个存储节点的电位。两个读写电路用于根据字线信号控制读取信号读取相应存储节点存储的数据。所述SRAM存储器包括上述SRAM存储单元。所述SRAM存储单元的读写方法应用上述SRAM存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储 单元 存储器 读写 方法 | ||
【主权项】：
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