[发明专利]一种提升LDMOS性能的方法在审
| 申请号： | 202110205208.7 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013228A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 马雁飞;王同辉;王昌锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提升LDMOS性能的方法，提供设有埋氧层的衬底，定义LDMOS漂移区，并将部分漂移区刻蚀至埋氧层下表面以下10～50μm形成被刻蚀区域；将被刻蚀区域形成纯体硅区域；进行离子注入形成P型阱区和N型阱区；在N型阱区形成STI区域；在衬底上表面形成叠层；定义栅极形貌，通过刻蚀叠层形成栅极叠层，在栅极叠层的侧壁形成侧墙；在栅极叠层两侧的衬底上形成源漏端；形成依附于侧墙的氧化硅硬掩膜层；在源漏端进行离子注入；去除栅极叠层中的栅极薄膜层，形成凹槽；在所述凹槽中沉积金属。本发明在超薄体FDSOI上进行LDMOS器件设计，以提高LDMOS的击穿电压，同时降低导通电阻，改善器件的漏电流，提高LDMOS的开关特性与耐击穿性，从而提高LDMOS的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 ldmos 性能 方法 | ||
【主权项】：
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