[发明专利]一种宽波段近红外探测器的制备方法及宽波段近红外探测器在审
| 申请号： | 202110203322.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113036000A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张陈斌;冯叶;杨春雷;杨佳伟;彭燕君;张玉萍;王伟;张琛 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/101 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的宽波段近红外探测器，包括依次层叠设置、钼背电极、CCZTSe吸收层、CdS缓冲层及窗口层，所述CCZTSe吸收层底部掺杂有NaF或KF或LiF或RbF或CsF；和/或；所述CCZTSe吸收层中间掺杂NaF或KF或LiF或RbF或CsF；和/或；所述CCZTSe吸收层上表面蒸镀有NaF或KF或LiF或RbF或CsF，由于在CCZTSe吸收层不同部位同时蒸镀一定量NaF或KF或LiF或RbF或CsF，由于NaF或KF或LiF或RbF或CsF可以促进吸收层晶粒尺寸增大，减少缺陷及晶界，提高探测器效率。另外，本发明还提供了宽波段近红外探测器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波段 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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