[发明专利]一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器有效
| 申请号： | 202110200722.1 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113030802B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 祝冉冉;徐礼磊;周家伟;陶志阔 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 薛伯奇 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层。通过结合水平结构和垂直结构器件的优势，使传感器相对灵敏度可高达237.04％/T(栅电压为0V，漏电压为5V时)，相比于同类型的磁场传感器，具备更高的相对灵敏度；电流沿着垂直方向从源极流向漏极，能有效缩小器件的尺寸，符合器件小型化的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cavet 晶体管 结构 灵敏度 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
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