[发明专利]一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器

权利要求书

1.一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层；

所述电流阻断层材料是SiO₂；

所述AlGaN势垒层为非故意掺杂的GaN/Al_0.25GaN_0.75异质结构。

2. 根据权利要求1所述的一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：所述源极长为6 μm，源极厚度为10 nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：所述源层的掺杂浓度为1×10¹⁸ cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：所述N型GaN漂移层的掺杂浓度为3×10¹⁶ cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：所述穿孔层孔径为1 μm，掺杂浓度为1×10¹⁷ cm^-3。

6.根据权利要求1所述的一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：所述GaN外延层的厚度为15 nm。

7.根据权利要求1所述的一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：所述AlGaN势垒层厚度为15 nm、长度为5.95 μm，Al含量为0.25。

8.根据权利要求1所述的一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：所述栅极长度为3 μm，宽度为10 nm，所述漏极长度为0.5 μm，厚度为25 nm。