[发明专利]成膜方法在审
| 申请号： | 202110193603.8 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113355652A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木幸二;铃木启介;长谷川智也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种成膜方法。提供：可以以高生产率形成均匀性良好的氧化硅膜的技术。本公开的一方式的成膜方法为在处理容器内同时在多张基板上形成氧化硅膜的成膜方法，所述成膜方法执行包括如下步骤的多次循环：向前述处理容器内供给包含有机氨基官能化低聚硅氧烷化合物的硅原料气体的步骤；和，向调整为1～10Torr(133～1333Pa)的压力的前述处理容器内供给氧化气体的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
