[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202110187300.5 | 申请日: | 2021-02-18 |
公开(公告)号: | CN113299546A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 一宫佑希;筑地修一郎;小林贤史 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/66;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,容易地确认晶片是否在适当的条件下被加工。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤:改质层形成步骤,从该晶片的背面侧照射第一激光束,在该晶片的内部形成改质层;观察用激光束照射步骤,将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面并照射该第二激光束;拍摄步骤,利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄;以及判定步骤,根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像,判定该晶片的加工状态,在该观察用激光束照射步骤中照射在该晶片上的该第二激光束成形为与该第二激光束的行进方向垂直的面中的截面形状隔着该改质层不对称。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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