[发明专利]形成氮化物半导体器件的工艺在审
| 申请号： | 202110157003.6 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112768520A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 中野拓真 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;崔利梅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜，然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶，其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的开口，该工艺将围绕SiN膜的开口的外围区域暴露于可以蚀刻半导体层的氯(Cl)等离子体以在其中形成凹槽。将用于欧姆电极的金属填充在半导体层中的凹槽内和SiN膜的外围区域。最后，在低于SiN膜的沉积温度的温度下对金属进行合金化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化物 半导体器件 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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