[发明专利]单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片在审
| 申请号： | 202110127530.2 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114823965A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 何秋霞;朱军;李慧;王鹏;马擎天 | 申请（专利权）人： | 环晟光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/028 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 214200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片，包括以下步骤：升温阶段：将氧化炉温度升至700‑950℃，并通入氮气；稳温阶段：保持氧化炉的温度为700‑950℃，通入氮气；氧化吸杂：保持氧化炉的温度为700‑950℃，通入氮气和氧气；降温阶段：将氧化炉温度降至680‑720℃并出舟。本发明的有益效果是将硅片中的杂质富集到氧化层，并进行去除氧化层工序，将氧化层去除，进而将硅片中杂质去除，减少硅片中少数载流子复合中心，提高电池的开路电压，提高太阳电池光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 氧化 杂工 太阳能电池 制备 工艺 硅片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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