[发明专利]单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片

说明书

本发明提供一种单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片，包括以下步骤：升温阶段：将氧化炉温度升至700‑950℃，并通入氮气；稳温阶段：保持氧化炉的温度为700‑950℃，通入氮气；氧化吸杂：保持氧化炉的温度为700‑950℃，通入氮气和氧气；降温阶段：将氧化炉温度降至680‑720℃并出舟。本发明的有益效果是将硅片中的杂质富集到氧化层，并进行去除氧化层工序，将氧化层去除，进而将硅片中杂质去除，减少硅片中少数载流子复合中心，提高电池的开路电压，提高太阳电池光电转换效率。

技术领域

本发明属于光伏技术领域，尤其是涉及一种单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片。

背景技术

硅片作为基体材料制作太阳能电池单晶，硅存在微缺陷和金属杂质，这些杂质和缺陷在硅禁带中引入多重深能级，成为少数载流子的复合中心，严重影响了太阳电池的光电转换效率。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片，以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种适用于单晶硅片氧化吸杂的工艺，包括以下步骤：

升温阶段：将氧化炉温度升至700-950℃，并通入氮气；

稳温阶段：保持氧化炉的温度为700-950℃，通入氮气；

氧化吸杂：保持氧化炉的温度为700-950℃，通入氮气和氧气；

降温阶段：将氧化炉温度降至680-720℃并出舟。

进一步的，在升温阶段，氮气的流量为10-15slm，升温时间为8-12min。

进一步的，在稳温阶段，氮气的流量为10-15slm，稳温维持时间为2-5min。

进一步的，在氧化吸杂阶段，氮气的流量为10-15slm，氧气的流量为3-9slm，氧化吸杂时间为60-90min。

一种太阳能电池制备工艺，在制绒工序之前，依次进行去除硅片表面损伤层、如上述的适用于单晶硅片氧化吸杂的工艺、去除氧化层，其中，

去除硅片表面损伤层中，采用混酸溶液对硅片进行清洗；

去除氧化层中，采用酸溶液对氧化吸杂后的硅片进行清洗。

进一步的，混酸溶液为氢氟酸和盐酸的混合溶液，氢氟酸浓度为3％-5％，盐酸浓度为5％-10％。

进一步的，酸溶液为5％的氢氟酸。

一种太阳能硅片，采用上述的适用于单晶硅片氧化吸杂的工艺制备，硅片包括硅片本体和氧化层，氧化层设于硅片本体的一侧面，氧化层厚度为5-30nm。

进一步的，氧化层为二氧化硅和金属离子，金属离子包括铁、镍、铜和锰。

由于采用上述技术方案，在电池片制备之前，对硅片进行氧化吸杂，将硅片中的杂质富集到氧化层，并进行去除氧化层工序，将氧化层去除，进而将硅片中杂质去除，减少硅片中少数载流子复合中心，提高电池的开路电压，提高太阳电池光电转换效率，氧化层吸附金属离子，氧化退火过程降低硅本身的缺陷(如晶界、位错等)，利于P扩散，电池开路电压提升1mv，效率增益在0.03％-0.05％。

附图说明

图1是本发明的一些实施例的电池片制备流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。