[发明专利]一种GaN充电器控制电路有效
| 申请号： | 202110119518.7 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112928808B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 赵智星;冷昭君;詹海峰;杨譓鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南炬神电子有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/10 | 分类号： | H02J7/10;H02M1/08;H02M1/36;H02M1/44 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 423000 湖南省郴州市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN充电器控制电路，包括：充电电路和GaN驱动电路，所述充电电路与GaN驱动电路电连接；其中，所述GaN驱动电路包括PWM控制器和GaN MOS管；其中，所述PWM控制器用于控制所述充电电路的运行频率；所述GaN MOS管用于根据所述运行频率驱动所述充电电路启动。本发明有益效果在于：本发明为一种GaN(第三代器件)氮化镓搭配高频率高效率PWM驱动芯片控制电路，实现了一种更低的驱动损耗，更低的米勒效应/更低的开关损耗，很小振荡，相应的开关损耗及EMI会更好。将氮化镓技术运用到高功率充电器中具有转换效率更高93％以上，更快的开关速度及工作频率100‑500KHZ以上，以达到高效节能目的。采用氮化镓技术可以精简元件的规格设计，达到更小的尺寸外观。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 充电器 控制电路 | ||
【主权项】：
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