[发明专利]一种GaN充电器控制电路

说明书

本发明提供了一种GaN充电器控制电路，包括：充电电路和GaN驱动电路，所述充电电路与GaN驱动电路电连接；其中，所述GaN驱动电路包括PWM控制器和GaN MOS管；其中，所述PWM控制器用于控制所述充电电路的运行频率；所述GaN MOS管用于根据所述运行频率驱动所述充电电路启动。本发明有益效果在于：本发明为一种GaN(第三代器件)氮化镓搭配高频率高效率PWM驱动芯片控制电路，实现了一种更低的驱动损耗，更低的米勒效应/更低的开关损耗，很小振荡，相应的开关损耗及EMI会更好。将氮化镓技术运用到高功率充电器中具有转换效率更高93％以上，更快的开关速度及工作频率100‑500KHZ以上，以达到高效节能目的。采用氮化镓技术可以精简元件的规格设计，达到更小的尺寸外观。

技术领域

本发明涉及充电技术领域，特别涉及一种GaN充电器控制电路。

背景技术

目前，随着技术的发展，电子产品及器件得到了广泛的应用，并且随着便携式电子产品的普及，大功率高密度高效率的充电器是未来的趋势。

为了达到大功率高效率的充电器需求，目前市面上通常采用如下控制方案解决需求：

1PWM控制器+MOSFET金属氧化物半导体场效应管开关损耗高导通电阻较大；工作效率低。

2PFC+PWM控制器+MOSFET金属氧化物半导体场效应管效率较高，但成本高，体积大。

发明内容

本发明提供一种GaN充电器控制电路，用以解决现有技术中充当建设被开关损耗高、导通电阻大、工作效率低、成本高、体积大的问题的情况。

一种GaN充电器控制电路，包括：充电电路和GaN驱动电路，所述充电电路与GaN驱动电路电连接；其中

所述GaN驱动电路包括PWM控制器和GaN MOS管；其中，

所述PWM控制器用于控制所述充电电路的运行频率；

所述GaN MOS管用于根据所述运行频率驱动所述充电电路启动。

作为本发明的一种实施例：所述充电电路包括：AC市电接入端、整流滤波电路、EMI电路、变压器、输出整流电路、TYPE-C控制器和充电器输出接口；其中，

所述AC市电接入端与整流滤波电路的输入端电连接，所述整流滤波电路用于将所述AC市电接入端输入的交流电进行整流滤波，输出直流电；

所述整流滤波电路的输出端与EMI电路的输入端电连接，所述EMI电路用于进行电磁滤波；

所述EMI电路的输出端与变压器的输入端电连接，所述的变压器用于进行降压变压；

所述变压器的输出端与所述输出整流电路电连接，所述输出整流电路用于将所述变压器变压后的电压进行整流，并输出；

所述输出整流电路的输出端与所述充电器输出接口电连接，所述充电器输出接口用于进行充电；

所述输出整流电路和充电器输出接口均与所述TYPE-C控制器电连接，所述TYPE-C控制器用于控制所述充电器输出接口进行充电。

作为本发明的一种实施例：所述GaN驱动电路包括：高压绕组供电电路、低压绕组供电电路、和驱动控制电路；其中，

所述PWM控制器的电压输出端口分别与所述高压绕组供电电路和低压绕组供电电路，所述PWM控制器的电压输出端口用于为所述高压绕组供电电路和低压绕组供电电路提供供电电源；

所述高压绕组供电电路用于控制所述充电电路高压输出；

所述低压绕组供电电路用于控制所述充电电路低压输出；