[发明专利]一种GaN充电器控制电路

权利要求书

1.一种GaN充电器控制电路，其特征在于，包括：充电电路和GaN驱动电路，所述充电电路与GaN驱动电路电连接；其中

所述GaN驱动电路包括PWM控制器和GaNMOS管；其中，

所述PWM控制器用于控制所述充电电路的运行频率；

所述GaNMOS管用于根据所述运行频率驱动所述充电电路启动；

AC市电接入端、整流滤波电路、EMI电路、变压器、输出整流电路、TYPE-C控制器和充电器输出接口；其中，

所述AC市电接入端与整流滤波电路的输入端电连接，所述整流滤波电路用于将所述AC市电接入端输入的交流电进行整流滤波，输出直流电；

所述整流滤波电路的输出端与EMI电路的输入端电连接，所述EMI电路用于进行电磁滤波；

所述EMI电路的输出端与变压器的输入端电连接，所述的变压器用于进行降压变压；

所述变压器的输出端与所述输出整流电路电连接，所述输出整流电路用于将所述变压器变压后的电压进行整流，并输出；

所述输出整流电路的输出端与所述充电器输出接口电连接，所述充电器输出接口用于进行充电；

所述输出整流电路和充电器输出接口均与所述TYPE-C控制器电连接，所述TYPE-C控制器用于控制所述充电器输出接口进行充电；

所述充电电路还连接有报警电路；其中，

所述报警电路包括电路检测芯片和报警器，所述电路检测芯片和报警器电连接；其中，

所述电路检测芯片的检测过程如下：

步骤1：通过所述电路检测芯片采集所述充电电路的电流和电压，确定所述充电电路的实时功率，并基于阈值功率，确定功率变化集合：

；

其中，所述表示时刻所述充电电路的功率；表示时刻所述充电电路的功率变化比；

步骤2：根据所述电路检测芯片，获取每一时刻所述PWM控制器的输出信号，确定所述PWM控制器的动态控制特征：

（t=）；

其中，表示PWM控制器第次调节时电路的运行频率；表示第次控制时电路对应的时刻；表示PWM控制器第次调节时电路的总势能；表示PWM控制器第次调节时电路的总功率；

步骤3：基于所述动态控制特征和功率变化集合，确定所述充电电路的电流和电压是否需要进行报警：

其中，表示PWM控制器第次调节时电路的功率系数；表示阈值功率；当所述时，通过所述报警器执行报警，当所述时，通过所述报警器不执行报警。

2.如权利要求1所述的一种GaN充电器控制电路，其特征在于，所述GaN驱动电路包括：高压绕组供电电路、低压绕组供电电路、和驱动控制电路；其中，

所述PWM控制器的电压输出端口分别与所述高压绕组供电电路和低压绕组供电电路，所述PWM控制器的电压输出端口用于为所述高压绕组供电电路和低压绕组供电电路提供供电电源；

所述高压绕组供电电路用于控制所述充电电路高压输出；

所述低压绕组供电电路用于控制所述充电电路低压输出；

所述PWM控制器的信号输出口与所述驱动控制电路电连接，所述PWM控制器的信号输出端口与所述驱动控制电路电连接，所述PWM控制器的信号输出端口用于向所述驱动控制电路提供驱动控制信号。

3.如权利要求1所述的一种GaN充电器控制电路，其特征在于，所述PWM控制器连接于所述整流滤波电路和EMI电路之间，所述PWM控制器通过所述整流滤波电路输出的直流电控制所述GaN驱动电路运行。

4.如权利要求2所述的一种GaN充电器控制电路，其特征在于，所述高压绕组供电电路包括：第一二极管、第二二极管、第一三极管、第一稳压二极管和第一电阻；其中，

所述PWM控制器与所述第一稳压二极管的正极连接，所述第一稳压二极管的负极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述第一三极管的基极；

所述PWM控制器的电压输出端口分别与所述第一二极管和第三二极管的负极电连接，所述第一二极管的正极与所述第一三极管的发射极电连接，所述第一三极管的集电极与所述第一三极管的基极电连接；其中，

所述第一三极管的集电极外接第二二极管电连接。