[发明专利]一种磷化铟晶片的研磨方法在审
| 申请号： | 202110106461.7 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112975736A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周一;毕洪伟;彭杰 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B55/06;C09K3/14;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/06;C11D7/60 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片加工技术领域，公开了一种磷化铟晶片的研磨方法，包括以下步骤：将磷化铟晶片放入第一清洗剂中清洗，然后冲洗干净；将磷化铟晶片放入到研磨机上进行第一次研磨，第一研磨液的质量百分比为：25％～30％CA15三氧化二铝、1％～2％分散剂、1％～2％第一研磨油、66％～73％去离子水；将磷化铟晶片第二次清洗；对磷化铟晶片进行第二次研磨，第二研磨液的质量百分比为：35％～45％CA12三氧化二铝、5％～6％分散剂、5％～6％第二研磨油、43％～55％去离子水；最后第三次清洗。本发明解决现有技术在磷化铟晶片研磨过程中，可能出现的轻微划伤的问题，增加磷化铟晶片表面的平整度，在腐蚀过程中，更易清洗干净。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 研磨 方法 | ||
【主权项】：
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