[发明专利]一种磷化铟晶片的研磨方法

说明书

本发明涉及半导体晶片加工技术领域，公开了一种磷化铟晶片的研磨方法，包括以下步骤：将磷化铟晶片放入第一清洗剂中清洗，然后冲洗干净；将磷化铟晶片放入到研磨机上进行第一次研磨，第一研磨液的质量百分比为：25％～30％CA15三氧化二铝、1％～2％分散剂、1％～2％第一研磨油、66％～73％去离子水；将磷化铟晶片第二次清洗；对磷化铟晶片进行第二次研磨，第二研磨液的质量百分比为：35％～45％CA12三氧化二铝、5％～6％分散剂、5％～6％第二研磨油、43％～55％去离子水；最后第三次清洗。本发明解决现有技术在磷化铟晶片研磨过程中，可能出现的轻微划伤的问题，增加磷化铟晶片表面的平整度，在腐蚀过程中，更易清洗干净。

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工技术领域，尤其涉及一种磷化铟晶片的研磨方法。

背景技术

近年来，随着我国经济的高速发展，移动通讯等电子产品崛起，智能商品市场呈爆发式增长，尤其是5G时代的到来，对各类半导体材料的需求不断增长。如单晶硅可用于计算机芯片，多晶硅可用于太阳能电池，砷化镓、磷化铟等可用于集成电路，单晶氧化铝可用于显示屏等。在半导体材料应用之前先要对其进行加工，在加工的工艺中，半导体的研磨步骤至关重要，其直接影响半导体材料的加工质量。

目前在对磷化铟晶片进行研磨过程中，使用现有方法技术进行磷化铟晶片的研磨时，研磨结束，将晶片进行腐蚀后，一般会在晶片表面依旧存在少量细小的划痕，并且磷化铟晶片在腐蚀之后表面存在未清洗干净的情况。在研磨过程中，使用现有的机械方式进行研磨液以及研磨方式进行研磨后，无法去除晶片表面的细小划伤等，从而影响晶片的性能，以及后续步骤的操作结果。所以在磷化铟晶片的研磨过程中，需要改进现有的研磨方法以及研磨液的配比方式。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种磷化铟晶片的研磨方法，采用新型的研磨液配比，结合新型的研磨清洗工艺，解决现有技术在磷化铟晶片研磨过程中，可能出现的轻微划伤的问题，增加磷化铟晶片表面的平整度，在腐蚀过程中，更易清洗干净。

本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：

一种磷化铟晶片的研磨方法，包括以下步骤：

S1、将切片磨边后的磷化铟晶片放入温度为25～30℃的第一清洗剂中清洗2～3min；

S2、使用去离子水将清洗后的磷化铟晶片冲洗干净；

S3、将磷化铟晶片放入到研磨机上进行第一次研磨，研磨过程中使用第一研磨液，研磨过程中的研磨压力为54N，研磨的时间为10min，其中第一研磨液的质量百分比为：25％～30％CA15三氧化二铝、1％～2％分散剂、1％～2％第一研磨油、66％～73％去离子水。

S4、在第一次研磨之后，将磷化铟晶片从研磨机上取出，使用去离子水将磷化铟晶片冲洗干净，使用第二清洗剂对磷化铟晶片进行清洗，清洗温度为30～35℃，清洗时间为2～3min；

S5、对第二清洗剂清洗的磷化铟晶片进行第二次研磨，研磨过程中使用第二研磨液，在研磨过程，研磨机的运行压力为32N，研磨的时间设置为15min其中第二研磨液的质量百分比为：35％～45％CA12三氧化二铝、5％～6％分散剂、5％～6％第二研磨油、43％～55％去离子水；

S6、第二次研磨后，将磷化铟晶片从研磨机上取出，并且使用去离子水将晶片冲洗干净，并且使用第三清洗剂对磷化铟晶片进行清洗，清洗温度为30～35℃，清洗时间为2～3min。

进一步，所述步骤S1中的第一清洗剂的配方包括35％～40％氢氧化钠、60％～65％双氧水。采用氢氧化钠与双氧水混合溶液进行清洗，其中两种物质不与磷化铟晶片发生反应，主要清洗晶片表面的油渍与金属微粒，溶液具有强氧化性与碱性。碱可以溶解油脂，氧化剂可以氧化表面的物质，并且氧化物可以与碱发生反应溶解。