[发明专利]一种磷化铟晶片的研磨方法在审
申请号: | 202110106461.7 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN112975736A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 周一;毕洪伟;彭杰 | 申请(专利权)人: | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B55/06;C09K3/14;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/06;C11D7/60 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 404040 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磷化 晶片 研磨 方法 | ||
1.一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将切片磨边后的磷化铟晶片放入温度为25~30℃的第一清洗剂中清洗2~3min;
S2、使用去离子水将清洗后的磷化铟晶片冲洗干净;
S3、将磷化铟晶片放入到研磨机上进行第一次研磨,研磨过程中使用第一研磨液,研磨过程中的研磨压力为54N,研磨的时间为10min,其中第一研磨液的质量百分比为:25%~30%CA15三氧化二铝、1%~2%分散剂、1%~2%第一研磨油、66%~73%去离子水。
S4、在第一次研磨之后,将磷化铟晶片从研磨机上取出,使用去离子水将磷化铟晶片冲洗干净,使用第二清洗剂对磷化铟晶片进行清洗,清洗温度为30~35℃,清洗时间为2~3min;
S5、对第二清洗剂清洗的磷化铟晶片进行第二次研磨,研磨过程中使用第二研磨液,在研磨过程,研磨机的运行压力为32N,研磨的时间设置为15min其中第二研磨液的质量百分比为:35%~45%CA12三氧化二铝、5%~6%分散剂、5%~6%第二研磨油、43%~55%去离子水;
S6、第二次研磨后,将磷化铟晶片从研磨机上取出,并且使用去离子水将晶片冲洗干净,并且使用第三清洗剂对磷化铟晶片进行清洗,清洗温度为30~35℃,清洗时间为2~3min。
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述步骤S1中的第一清洗剂的配方包括35%~40%氢氧化钠、60%~65%双氧水。
3.根据权利要求2所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述步骤S3中第一研磨液的质量百分比为:25%CA15三氧化二铝、2%分散剂、2%第一第一研磨油、71%去离子水。
4.根据权利要求3所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述第一研磨油包括15%~25%单乙醇胺、20%~30%三乙醇胺、45%~65%水。
5.根据权利要求4所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述第一研磨油包括25%单乙醇胺、25%三乙醇胺、50%水。
6.根据权利要求5所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述第二清洗剂包括70%~80%双氧水、10%~15%硫酸、5%~20%盐酸。
7.根据权利要求6所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述第二研磨液的质量百分比为:40%CA12三氧化二铝、6%分散剂、6%第二研磨油、48%去离子水。
8.根据权利要求7所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述第二研磨油包括10%壬二酸酰胺钠、10%月桂二酸、20%单乙醇胺、60%水。
9.根据权利要求8所述的一种磷化铟晶片的研磨方法,其特征在于:所述第三清洗剂包括70%~80%双氧水、20%~30%柠檬酸。
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