[发明专利]一种利用光信号在忆阻器中实现正负光电导的方法有效
| 申请号： | 202110104850.6 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951987B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;沈柳枫;胡令祥;张莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用光信号在忆阻器中实现正负光电导的方法，该忆阻器包括底电极层、顶电极层以及位于两者之间的氧化物层，其中氧化物层包括富氧层和缺氧层，富氧层与顶电极层相邻，缺氧层与底电极层相邻，所述方法为通过顶电极层输入光信号，所述方法包括所述忆阻器通过光信号获得正向光电导模式或负向光电导模式；在所述正向光电导模式下，所述光信号为紫外光；在所述负向光电导模式下，所述光信号为可见光或红外光。利用本发明公开的忆阻器本身的特性在不同波长的光信号下能够实现忆阻器电导正负极性的可逆调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 信号 忆阻器中 实现 正负 电导 方法 | ||
【主权项】：
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