[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202110098410.4 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN112838134B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 王正安;来华杭;郭峰;俞峰;周海龙 | 申请(专利权)人: | 浙江上方电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州合信专利代理事务所(普通合伙) 33337 | 代理人: | 沈自军 |
地址: | 312366 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本申请公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法,其中铜铟镓硒薄膜太阳能电池,包括:从下至上依次排布的基底、钼背电极层、铜铟镓硒吸收层、缓冲层和窗口层,所述钼背电极层位于所述铜铟镓硒吸收层内,所述铜铟镓硒吸收层的厚度为2.3~3μm,所述钼背电极层的厚度为1.9~2.1μm,所述钼背电极层具有允许光线通过的镂空区域,所述镂空区域为规则排布的多个,每个镂空区域的面积为14~25μm |
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搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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