[发明专利]活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110096942.4 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112909176B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 於黄忠;谭靖宇;孙亚鹏;王键鸣;黄承稳;侯春利;张健开;黄金珍;杨宋 申请(专利权)人: 华南理工大学;华南协同创新研究院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y10/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法;该有机太阳能电池由阴极基地、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层依次叠层;所述活性层为掺杂了GeSe二维纳米材料的P3HT:PCBM薄膜。在本发明的有机太阳能电池中,掺杂的GeSe二维纳米材料有高载流子迁移率(102cm2V‑1S‑1)、合适的能带带隙(1.2eV‑1.8eV)和高吸光系数(104cm‑1),提高活性层对光照的利用率和导电性;本发明中用GeSe粉末与无水乙醇配成溶液后机械剥离,将得到的含有GeSe二维纳米片的溶液与活性层溶液混合后旋涂成膜,更为环保。
搜索关键词: 活性 掺杂 gese 二维 纳米 材料 有机 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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