[发明专利]活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202110096942.4 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN112909176B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 於黄忠;谭靖宇;孙亚鹏;王键鸣;黄承稳;侯春利;张健开;黄金珍;杨宋 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学;华南协同创新研究院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y10/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法;该有机太阳能电池由阴极基地、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层依次叠层;所述活性层为掺杂了GeSe二维纳米材料的P3HT:PCBM薄膜。在本发明的有机太阳能电池中,掺杂的GeSe二维纳米材料有高载流子迁移率(10 |
||
搜索关键词: | 活性 掺杂 gese 二维 纳米 材料 有机 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学;华南协同创新研究院,未经华南理工大学;华南协同创新研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110096942.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
- BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>化合物、BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途
- Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>化合物、Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途
- 一种GeSe<sub>2</sub>纳米晶及其制备方法和应用
- 一种Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途
- 垂直GeSe/MoS<Sub>2</Sub> p-n异质结构
- 一种Ag掺杂的GeSe基热电材料及其制备方法和应用
- 一种单晶GeSe三角形纳米片阵列材料的制备方法及其应用
- 活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法
- 一种异质结GeSe/TiO<base:Sub>2
- 一种异质结半导体光电探测器及其制备方法