[发明专利]压力传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110093622.3 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112880884A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 周志健;余伦宙;熊娟;赵怿 | 申请（专利权）人： | 慧石（上海）测控科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 | 代理人： | 周雷 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，压力传感器包括衬底结构以及顶层结构，顶层结构包括第一硅层、设于第一硅层背面的第一绝缘层、设于第一绝缘层背面的压阻层、设于第一硅层正面的顶层第一下绝缘层、形成在顶层第一下绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层；第一硅层用作压力敏感膜；厚半导体材料层用作岛结构；压阻层包括至少一个压阻；衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，厚半导体材料层键合于键合槽内并与键合槽形成间隙。该压力传感器在第一硅层的正面形成用作岛结构的厚半导体材料层，达到有效控制压力敏感膜的厚度一致性以及平面尺寸一致性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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