[发明专利]一种氮掺杂多孔碳负载MoS2有效

专利信息
申请号: 202110091296.2 申请日: 2021-01-22
公开(公告)号: CN112919446B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 刘春晔;李晓梅;王喜恩 申请(专利权)人: 益诺鑫电气(深圳)有限公司
主分类号: C01B32/05 分类号: C01B32/05;C01G39/06;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 代理人: 李明香
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及锂离子电池技术领域,且公开了一种氮掺杂多孔碳负载MoS2纳米花的电极材料,3,3'‑二氨基联苯胺和1,2,4,5‑四(4'‑醛基苯基)苯发生交联聚合反应,得到了苯并咪唑基多孔聚合物,以芳环为碳源、咪唑基团为氮源,经氯化锌的活化和高温碳化,得到了氮掺杂多孔碳材料,氮的掺杂增加了电极材料的润湿性,增强了多孔碳材料的电化学活性,水热法合成二硫化钼纳米花球过程中,首先生成二硫化钼晶核,晶核逐渐生长生纳米片并最终组装成二硫化钼纳米花,二硫化钼纳米花原位生长在多孔碳材料的孔隙中,避免二硫化钼发生体积膨胀的现象,从而有效地提高了纳米二硫化钼基电极材料的循环稳定性和倍率性能。
搜索关键词: 一种 掺杂 多孔 负载 mos base sub
【主权项】:
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