[发明专利]多晶硅电阻的制备方法在审
| 申请号： | 202110090116.9 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112928209A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/64;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅电阻的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅层。去除部分多晶硅层，以将多晶硅层分为若干个子多晶硅层。对所有子多晶硅层同时执行至少一次离子注入工艺。分别对每一子多晶硅层执行至少一次离子注入工艺，且每一子多晶硅层采用的离子种类和/或浓度不同。因此，本发明是在被同时执行至少一次离子注入工艺的基础上，对每一子多晶硅层再执行不同浓度和/或不同种类的离子注入工艺，由此通过离子叠加作用，以得到预设电阻率，进而获得若干个具有不同预设电阻率的子多晶硅电阻。故本发明不仅能同时制备多个具有不同电阻率的多晶硅电阻，提高制备效率，还可通过调节离子的浓度和/或种类，精准地获得预设电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
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