[发明专利]存储器件的控制方法及装置有效
| 申请号： | 202110087413.8 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112802506B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 游开开;王均保 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/30 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器件的控制方法和装置，该存储器件包括位线、源极、位于该位线和该源极之间的堆叠层、以及沿垂直于该位线的方向贯穿该堆叠层的存储沟道结构，该堆叠层包括依次层叠设置的第一子堆叠层、第一虚设堆叠层和第二子堆叠层，该控制方法包括：在预充电阶段，对该位线施加第一预设电压，以使靠近该位线的该存储沟道结构产生空穴，并对该源极施加第二预设电压，该第一预设电压和该第二预设电压为正电压；将该第一虚设堆叠层对应的该存储沟道结构打开，并将该第二子堆叠层对应的该存储沟道结构与该源极导通，从而能使沟道中的残留电子从沟道底部较快抽出，尽可能地减少沟道中的残留电子数量，改善编程干扰现象。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
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