[发明专利]一种基于2D贵金属纳米结构的SERS基底的制备方法有效
| 申请号： | 202110087194.3 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112921276B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 熊杰;汪红波;杜新川;雷天宇;陈伟;晏超贻;王显福 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/30;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/04;G01N21/65 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于2D贵金属纳米结构的SERS基底的制备方法，属于纳米加工技术领域。具体为：先在基底表面自组装一层聚合物微球阵列，经氧等离子刻蚀，使表面光滑的聚合物微球阵列变为毛绒状聚合物微球阵列，并以此结构为模板在其表面沉积贵金属，刻蚀掉模板后得到SERS基底。所述SERS基底表面铺有具有针状凸起结构的贵金属层，针状凸起结构间的间隙小于20nm，纳米结构排列致密、分布均匀、周期性好，利于获得连续且均匀的增强电磁场，显著提高了SERS器件的探测灵敏度，具有优异的可重复性和稳定性。此外，本发明提供的制备方法还可实现高效加工和大规模生产，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 贵金属 纳米 结构 sers 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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