[发明专利]磷化铟基模斑转换器及其设计方法在审
| 申请号: | 202110065709.X | 申请日: | 2021-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN114823937A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | 王亮;蒋忠君;张博健;何伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/105;G06F30/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙蕾 |
| 地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 本公开提供了一种磷化铟基模斑转换器,包括:衬底;缓冲层,位于所述衬底之上,用于提供晶格匹配,减少缺陷;InGaAsP与InP周期性排列N层形成的稀释波导层,位于所述缓冲层之上,其中N≥3;垂直楔形结构,位于所述稀释波导层之上,用于模斑转换;脊型波导,位于所述垂直楔形结构之上,用于协同所述垂直楔形结构完成模斑转换功能。本公开涉及的磷化铟基模斑转换器可以实现:高效的光纤‑芯片端面耦合(>80%),其中光纤可以是普通单模光纤或透镜光纤;高效的稀释波导‑脊型波导模斑转换(>90%)。 | ||
| 搜索关键词: | 磷化 铟基模斑 转换器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





