[发明专利]具有晶圆级自密封真空腔结构的压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110065511.1 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112393838A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李维平;李晓波;兰之康 | 申请（专利权）人： | 南京高华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02;G01L19/00;G01L1/20 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 210049 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有晶圆级自密封真空腔结构的压力传感器及其制备方法，方法包括：提供衬底；在衬底沿其厚度方向的第一表面形成预定深度的腔体；在衬底的第一表面以及腔体中形成牺牲层，并对牺牲层进行平坦化处理；在平坦化处理后的牺牲层上形成支撑层，图形化支撑层获得第一过孔；通过第一过孔去除掉腔体中的牺牲层，形成空腔；在图形化后的支撑层上形成密封绝缘层，以对空腔进行真空密封，形成真空密封腔；在密封绝缘层上形成压敏单元，压敏单元与真空密封腔相对应，以制备得到压力传感器。本发明不需要制作硅杯，也无需键合工艺，可在制备过程中直接进行晶圆级真空密封，制作简单，可靠性高，大大提高器件的一致性，降低成本，提高封装效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶圆级 密封 空腔 结构 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京高华科技股份有限公司，未经南京高华科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110065511.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
