[发明专利]三维存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110061900.7 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112670299B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朱宏斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张文锦;刘茹 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括衬底、衬底上方的栅电极、栅电极上的阻隔层、阻隔层上的多个电荷捕获层、多个电荷捕获层上的隧穿层、以及隧穿层上的多个沟道层。多个电荷捕获层是分立的并且设置在不同的层级处。多个沟道层是分立的并且设置在不同的层级处。每个沟道层对应于电荷捕获层中相应的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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