[发明专利]三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上方的第一栅电极；

所述第一栅电极上的第一阻隔层；

所述第一阻隔层上的多个第一电荷捕获层，其中，所述多个第一电荷捕获层是分立的并且设置在不同的层级处；

所述多个第一电荷捕获层上的第一隧穿层；

所述第一隧穿层上的多个第一沟道层，其中，所述多个第一沟道层是分立的并且设置在不同的层级处，并且每个所述第一沟道层对应于所述第一电荷捕获层中相应的一个；

所述第一沟道层上的堆栈间电介质层；

所述堆栈间电介质层上方的第二栅电极；

所述第二栅电极上的第二阻隔层；

所述第二阻隔层上的多个第二电荷捕获层，其中，所述多个第二电荷捕获层是分立的并且设置在不同的层级处；

所述多个第二电荷捕获层上的第二隧穿层；

所述第二隧穿层上的多个第二沟道层，其中，所述多个第二沟道层是分立的并且设置在不同的层级处，并且每个所述第二沟道层对应于所述第二电荷捕获层中相应的一个。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极具有倒“T”形。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极具有双面阶梯形。

4.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述堆栈间电介质层的顶表面标称上是平坦的。

5.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述堆栈间电介质层的顶表面适配所述第一栅电极的顶表面，并且所述第二栅电极的顶表面适配所述堆栈间电介质层的顶表面。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的三维存储器件，其中，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层是连续的并且分别至少沿着所述第一栅电极和所述第二栅电极的顶表面设置。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的三维存储器件，其中，所述第一隧穿层和所述第二隧穿层是连续的并且分别至少沿着每个所述第一电荷捕获层和所述第二电荷捕获层的顶表面设置。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的三维存储器件，其中，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层包括氧化硅，所述第一电荷捕获层和所述第二电荷捕获层包括氮化硅，并且所述第一隧穿层和所述第二隧穿层包括氧化硅。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的三维存储器件，其中，所述多个第一沟道层和所述多个第二沟道层包括多晶硅。

10.一种三维存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上方的第一栅电极；

所述第一栅电极上的第一阻隔层；

所述第一阻隔层上的多个第一电荷捕获层，其中，所述多个第一电荷捕获层是分立的并且设置在不同的层级处；

所述多个第一电荷捕获层上的第一隧穿层；

所述第一隧穿层上的第一沟道层；

所述第一沟道层上的堆栈间电介质层；

所述堆栈间电介质层上方的第二栅电极；

所述第二栅电极上的第二阻隔层；

所述第二阻隔层上的多个第二电荷捕获层，其中，所述多个第二电荷捕获层是分立的并且设置在不同的层级处；

所述多个第二电荷捕获层上的第二隧穿层；以及

所述第二隧穿层上的第二沟道层。

11.根据权利要求10所述的三维存储器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极具有倒“T”形。

12.根据权利要求10所述的三维存储器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极具有双面阶梯形。

13.根据权利要求10所述的三维存储器件，其中，所述堆栈间电介质层的顶表面标称上是平坦的。