[发明专利]具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110060974.9 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112802964A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 沈棕杰;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有类突触长期可塑性的忆阻器，其包括自下而上依次层叠的基底、第一阻变层、第二阻变层及顶电极层，基底包括自下而上层叠设置的绝缘层和底电极层，第一阻变层由氧化铝制备，第二阻变层由氧化镓制备。相比于单层纯金属氧化层的忆阻器，本发明得到的忆阻器的阻变效果更好，功耗小、工作电压小，其绝对值小于1V，器件的耐受性和稳定性也有所提高；采用纯溶液法制备，操作简单方便，成本低，设备和和原料投资较少可用于大面积制备，实现大规模工业应用；使用单质金属或单质金属化合物材料作为顶电极层，替代了传统的氧化物材料，降低了成本和优化了制备工艺；该忆阻器实现了类突触器件的长期可塑性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 突触 长期 可塑性 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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