[发明专利]一种三维存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110049892.4 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112786606B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张坤;吴林春 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开提供一种三维存储器件及其制造方法，其中，所述三维存储器件包括：衬底；多个支撑结构，所述支撑结构贯穿部分所述衬底并沿横向方向延伸；堆叠体，设于所述衬底和所述多个支撑结构上，且包括层叠交替的导电层和电介质层；多个第一沟道结构，所述第一沟道结构垂直贯穿所述堆叠体和所述支撑结构并延伸至所述衬底内；多个栅极线狭缝，垂直贯穿所述堆叠体至所述衬底以将所述堆叠体沿纵向方向划分为多个区块；其中，所述支撑结构与所述堆叠体中的顶部选择栅切槽结构位置对应。本方案通过在沟道结构下方增加支撑结构，使得在芯片支撑过程中，支撑结构能够协助衬底对存储阵列起到良好的支撑，从而避免薄膜结构对晶圆过渡压迫，导致晶圆发生变形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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