[发明专利]一种三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

多个支撑结构，所述支撑结构贯穿部分所述衬底并沿横向方向延伸，所述支撑结构内填充有氧化物材料或氮化硅；

堆叠体，设于所述衬底和所述多个支撑结构上，且包括层叠交替的导电层和电介质层；

多个第一沟道结构，所述第一沟道结构垂直贯穿所述堆叠体和所述支撑结构并延伸至所述衬底内；

多个栅极线狭缝，垂直贯穿所述堆叠体至所述衬底以将所述堆叠体沿纵向方向划分为多个区块；

其中，所述支撑结构与所述堆叠体中的顶部选择栅切槽结构位置对应，所述支撑结构位于相邻两个栅极线狭缝之间。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，相邻两个栅极线狭缝之间的多个沟道结构呈阵列方式排布。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器件，其特征在于，所述顶部选择栅切槽结构位于第一沟道结构上方的堆叠体内，且沿着垂直方向和所述横向方向延伸。

4.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述支撑结构为连续的结构，或者，所述支撑结构包括多个间断的结构段。

5.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述衬底包括：第一半导体层和第二半导体层；

所述支撑结构贯穿所述第二半导体层。

6.根据权利要求1或5所述的三维存储器件，其特征在于，包括多个第二沟道结构；所述多个第二沟道结构垂直贯穿所述堆叠体并延伸至所述衬底内。

7.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，还包括：位于与三维存储器件中存储阵列相反一侧的所述衬底上的驱动电路；或者，

位于与三维存储器件中存储阵列同侧的驱动电路。

8.根据权利要求7所述的三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件的结构为：驱动电路位于存储阵列下方；

所述三维存储器件还包括：存储阵列输出焊盘和三维存储器件的拾取区；

所述存储阵列输出焊盘和所述三维存储器件的拾取区位于三维存储器件中存储阵列一侧；或，所述存储阵列输出焊盘位于三维存储器件中存储阵列一侧，所述三维存储器件的拾取区位于三维存储器件中驱动电路一侧。

9.根据权利要求7所述的三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件的结构为：驱动电路位于存储阵列上方；

所述三维存储器件还包括：驱动电路输出焊盘和三维存储器件的拾取区；

所述驱动电路输出焊盘和所述三维存储器件的拾取区均位于三维存储器件中驱动电路一侧；或，

所述驱动电路输出焊盘位于三维存储器件中驱动电路一侧，所述三维存储器件的拾取区位于三维存储器件中存储阵列一侧的衬底内。

10.一种三维存储器件的制造方法，其特征在于，该方法的步骤包括：

提供衬底；

在衬底内形成多个贯穿部分所述衬底并沿横向方向延伸多个支撑结构，以电介质层材料填充所述支撑结构；

在所述衬底和支撑结构上形成包括层叠交替的导电层和电介质层的堆叠体；

垂直贯穿所述堆叠体和所述支撑结构并延伸至所述衬底内的多个第一沟道结构；

垂直贯穿所述堆叠体至所述衬底，形成将所述堆叠体沿纵向方向划分为多个区块的多个栅极线狭缝；

其中，所述支撑结构与所述堆叠体中的顶部选择栅切槽结构位置对应，所述支撑结构位于相邻两个栅极线狭缝之间。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述衬底的形成步骤包括：

提供基板；

在所述基板上上形成第一半导体层；

在第一半导体层上形成第二半导体层。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述多个用于形成支撑结构的沟槽形成在所述衬底的第二半导体层内。