[发明专利]光掩模清洁工具、光掩模清洁方法及光掩模清洁装置在审
申请号: | 202110037755.9 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN113467182A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 陈品成;温志伟;林重宏;柯定贤 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光掩模清洁工具包括从护膜自动地移除颗粒的各种组件,例如用于将使用气体移除颗粒标准化及控制使用气体移除颗粒的多喷束喷嘴、用于从护膜的表面松开颗粒的超声探头、用于从不同方向朝颗粒引导气体的多个多喷束喷嘴、用于控制用于各种大小及形状的光掩模及用于经优化的颗粒移除技术的自动吹送器的控制系统、和/或类似组件。以这种方式,光掩模清洁工具能够以提高移除颗粒的效率并降低损坏护膜的可能性的方式从光掩模的护膜移除颗粒,否则将会造成昂贵且耗时的光掩模返工。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 清洁 工具 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110037755.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备