[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置在审
| 申请号： | 202110022764.0 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112853500A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张利峰 | 申请（专利权）人： | 张利峰 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314001 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，涉及单晶硅加工技术领域，以解决现有的单晶硅蚀刻过程中的片架定位装置在使用的时候，安装不够稳固，没有缓冲以及支撑结构，同时密封性较差的问题，包括主体，缓冲件；所述主体为环状结构，且主体的外侧为倾斜状结构；所述缓冲件为橡胶材质，且缓冲件安装在固定件的内部。密封仓是用来作为反应室使用的，使得单晶硅在蚀刻的时候，可以在密封仓的内部加工，密封仓可以嵌入到固定件的内部，进而使密封板的底部可以与缓冲件接触，使得缓冲件可以辅助密封仓缓冲冲击力，在与缓冲件接触的同时，卡槽的内部插入安装有卡块，进而使密封仓可以与主体稳固连接，进而使密封仓可以被稳固的支撑使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 单晶硅 刻蚀 过程 中的 定位 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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