[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置在审
申请号: | 202110022764.0 | 申请日: | 2021-01-08 |
公开(公告)号: | CN112853500A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 张利峰 | 申请(专利权)人: | 张利峰 |
主分类号: | C30B33/12 | 分类号: | C30B33/12;C30B29/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314001 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感器 单晶硅 刻蚀 过程 中的 定位 装置 | ||
1.一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:包括主体(1),缓冲件(2),密封仓(3),密封板(4),旋转架(5),支撑件(6)和收集件(7);所述主体(1)为环状结构,且主体(1)的外侧为倾斜状结构;所述缓冲件(2)为橡胶材质,且缓冲件(2)安装在固定件(102)的内部;所述密封板(4)通过转轴安装在密封仓(3)的开口内部,且密封板(4)的限位孔(402)内部插入安装有插杆(303)的底部;所述旋转架(5)为片架本体,且旋转架(5)安装在密封仓(3)的内部,并且旋转架(5)的轴杆与电机的传动轴相连接;所述收集件(7)安装在旋转架(5)的底部外侧,且收集件(7)的挡块(701)底部与底件(501)的顶端外侧相接触;
所述密封仓(3)包括有卡槽(301),控制槽(302),插杆(303),所述密封仓(3)为反应室本体,且密封仓(3)的底部安装有电机以及真空泵,并且密封仓(3)的前端设有开口;所述密封仓(3)的外侧设有卡槽(301),且卡槽(301)呈环状排列,并且卡槽(301)为楔形结构;所述密封仓(3)的内壁顶端设有控制槽(302),且控制槽(302)的截面为矩形结构;所述密封仓(3)安装在固定件(102)的顶端内部,且密封仓(3)的底部与缓冲件(2)的顶端相接触,并且密封仓(3)的卡槽(301)内部插入安装有卡块(103);
所述支撑件(6)包括有导向槽(601),顶件(602),限位件(603),所述支撑件(6)为六角形结构,且支撑件(6)的外端设有导向槽(601);所述导向槽(601)的外端为矩形结构,且导向槽(601)的内端为T形结构,并且导向槽(601)的上下两端设有均匀排列的矩形槽;所述顶件(602)的内端为T形结构,且顶件(602)的外端嵌入安装有三个万向球;所述顶件(602)的内端上下两侧设有两个T形槽,并且顶件(602)的内端嵌入安装在导向槽(601)的内部;所述支撑件(6)的内部与旋转架(5)固定连接,且支撑件(6)外端的顶件(602)以及万向球嵌入在控制槽(302)的内部。
2.如权利要求1所述传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:所述主体(1)包括有支撑杆(101),固定件(102),卡块(103),所述主体(1)的顶端设有三个支撑杆(101),且支撑杆(101)为圆柱形结构;所述支撑杆(101)的顶端设有固定件(102),且固定件(102)为环状结构,并且固定件(102)的顶端设有环状排列的固定板;所述卡块(103)为楔形结构,且卡块(103)设在固定板的顶端内侧。
3.如权利要求1所述传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:所述缓冲件(2)包括有内槽(201),内杆(202),所述缓冲件(2)为环状结构,且缓冲件(2)的外侧为齿轮状结构;所述缓冲件(2)的内部设有内槽(201),且内槽(201)为圆形结构,并且内槽(201)的外侧设有环状排列的圆孔;所述内槽(201)的内侧设有圆柱形结构的内杆(202),且内杆(202)为橡胶材质,并且内杆(202)呈环状排列。
4.如权利要求1所述传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:所述密封仓(3)还包括有插杆(303),所述插杆(303)为两端凸起的圆柱形结构,且插杆(303)的底部插入安装在密封仓(3)的开口侧边顶端。
5.如权利要求1所述传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:所述密封板(4)包括有密封条(401),限位孔(402),所述密封板(4)为弧形板状结构,且密封板(4)的上下两端以及右侧设有密封条(401),并且密封条(401)为橡胶材质;所述密封板(4)的顶端右侧设有均匀排列的限位孔(402),且限位孔(402)为圆柱形结构。
6.如权利要求1所述传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:所述旋转架(5)包括有底件(501),移动轮(502),所述旋转架(5)的内部设有轴杆,且旋转架(5)的底部设有底件(501);所述底件(501)为喇叭状结构,且底件(501)的底部通过转轴嵌入安装有移动轮(502),且移动轮(502)为环状排列。
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